ចំណេះដឹង

រូបភាពនៃគោលការណ៍នៃបន្ទះថាមពលព្រះអាទិត្យ

រូបភាពនៃគោលការណ៍នៃបន្ទះថាមពលព្រះអាទិត្យ

ថាមពលពន្លឺព្រះអាទិត្យគឺជាប្រភពថាមពលដ៏ល្អបំផុតសម្រាប់មនុស្សជាតិ ហើយលក្ខណៈដែលមិនអាចកាត់ថ្លៃបាន និងអាចកកើតឡើងវិញបានកំណត់ថាវានឹងក្លាយជាប្រភពថាមពលថោកបំផុត និងជាក់ស្តែងបំផុតសម្រាប់មនុស្សជាតិ។ បន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យ ជាថាមពលស្អាត គ្មានការបំពុលបរិស្ថាន។ Dayang Optoelectronics បានអភិវឌ្ឍយ៉ាងឆាប់រហ័សក្នុងប៉ុន្មានឆ្នាំចុងក្រោយនេះ គឺជាផ្នែកស្រាវជ្រាវដ៏មានថាមពលបំផុត ហើយក៏ជាគម្រោងមួយក្នុងចំណោមគម្រោងដែលល្បីបំផុតផងដែរ។

វិធីសាស្រ្តនៃការបង្កើតបន្ទះស្រូបពន្លឺព្រះអាទិត្យគឺផ្អែកលើសម្ភារៈ semiconductor ជាចម្បង ហើយគោលការណ៍ការងាររបស់វាគឺប្រើប្រាស់សម្ភារៈ photoelectric ដើម្បីស្រូបយកថាមពលពន្លឺបន្ទាប់ពីប្រតិកម្មនៃការបំប្លែង photoelectric យោងទៅតាមវត្ថុធាតុផ្សេងៗគ្នាដែលបានប្រើ អាចបែងចែកជាៈ កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុន និងស្តើង។ -film solar cells ថ្ងៃនេះជាចម្បងដើម្បីនិយាយទៅកាន់អ្នកអំពីបន្ទះសូឡាដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីកុន។

ទីមួយ បន្ទះសូឡាស៊ីលីកុន

គោលការណ៍ និងដ្យាក្រាមរចនាសម្ព័ន្ធនៃកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ Silicon គោលការណ៍នៃការបង្កើតថាមពលរបស់កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យគឺភាគច្រើនជាឥទ្ធិពល photoelectric នៃ semiconductors ហើយរចនាសម្ព័ន្ធសំខាន់នៃ semiconductors មានដូចខាងក្រោម៖

បន្ទុកវិជ្ជមានតំណាងឱ្យអាតូមស៊ីលីកុន ហើយបន្ទុកអវិជ្ជមានតំណាងឱ្យអេឡិចត្រុងចំនួនបួនដែលដើរជុំវិញអាតូមស៊ីលីកុន។ នៅពេលដែលគ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនត្រូវបានលាយឡំជាមួយនឹងសារធាតុមិនបរិសុទ្ធផ្សេងទៀតដូចជា បូរុន ផូស្វ័រ ជាដើម នៅពេលដែលសារធាតុបូរ៉ុនត្រូវបានបន្ថែមវានឹងមានប្រហោងនៅក្នុងគ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុន ហើយការបង្កើតរបស់វាអាចយោងទៅលើរូបខាងក្រោម៖

បន្ទុកវិជ្ជមានតំណាងឱ្យអាតូមស៊ីលីកុន ហើយបន្ទុកអវិជ្ជមានតំណាងឱ្យអេឡិចត្រុងចំនួនបួនដែលដើរជុំវិញអាតូមស៊ីលីកុន។ ពណ៌លឿងបង្ហាញពីអាតូម boron ដែលត្រូវបានបញ្ចូល ព្រោះមានអេឡិចត្រុងតែ 3 នៅជុំវិញអាតូម boron ដូច្នេះវានឹងបង្កើតប្រហោងពណ៌ខៀវដែលបង្ហាញក្នុងរូប ដែលក្លាយទៅជាមិនស្ថិតស្ថេរ ព្រោះមិនមានអេឡិចត្រុង ហើយវាងាយស្រួលក្នុងការស្រូបយកអេឡិចត្រុង និងបន្សាប។ បង្កើតជា P (វិជ្ជមាន) ប្រភេទ semiconductor ។ ស្រដៀងគ្នានេះដែរ នៅពេលដែលអាតូមផូស្វ័រត្រូវបានដាក់បញ្ចូល ពីព្រោះអាតូមផូស្វ័រមានអេឡិចត្រុងចំនួនប្រាំ អេឡិចត្រុងមួយបានក្លាយទៅជាសកម្មខ្លាំង បង្កើតបានជាសារធាតុ semiconductors ប្រភេទ N (អវិជ្ជមាន) ។ ពណ៌លឿងគឺជាស្នូលផូស្វ័រ ហើយពណ៌ក្រហមគឺជាអេឡិចត្រុងលើស។ ដូចបង្ហាញក្នុងរូបខាងក្រោម។

P-type semiconductors មានរន្ធច្រើន ខណៈពេលដែល N-type semiconductors មានអេឡិចត្រុងច្រើន ដូច្នេះនៅពេលដែល P-type និង N-type semiconductors ត្រូវបានបញ្ចូលគ្នា ភាពខុសគ្នានៃសក្តានុពលអគ្គិសនីនឹងត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅផ្ទៃទំនាក់ទំនង ដែលជាប្រសព្វ PN ។

នៅពេលដែល P-type និង N-type semiconductors ត្រូវបានបញ្ចូលគ្នា ស្រទាប់ស្តើងពិសេសមួយត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅក្នុងតំបន់ interfacial នៃ semiconductors ទាំងពីរ) ហើយផ្នែក P-type នៃ interface ត្រូវបានចោទប្រកាន់អវិជ្ជមាន ហើយផ្នែក N-type ត្រូវបានគិតជាវិជ្ជមាន។ នេះគឺដោយសារតែការពិតដែលថា P-type semiconductors មានរន្ធច្រើន ហើយ N-type semiconductors មានអេឡិចត្រុងសេរីជាច្រើន ហើយមានភាពខុសគ្នានៃកំហាប់។ អេឡិចត្រុងនៅក្នុងតំបន់ N សាយភាយចូលទៅក្នុងតំបន់ P ហើយរន្ធនៅក្នុងតំបន់ P សាយភាយចូលទៅក្នុងតំបន់ N បង្កើតបានជា "វាលអគ្គីសនីខាងក្នុង" ដែលដឹកនាំពី N ទៅ P ដូច្នេះការពារការសាយភាយពីដំណើរការ។ បន្ទាប់ពីឈានដល់លំនឹង ស្រទាប់ស្តើងពិសេសបែបនេះត្រូវបានបង្កើតឡើងដើម្បីបង្កើតជាភាពខុសគ្នាដ៏មានសក្តានុពល ដែលជាចំណុចប្រសព្វ PN ។

នៅពេលដែល wafer ត្រូវបានប៉ះពាល់នឹងពន្លឺ រន្ធនៃ N-type semiconductor ក្នុងប្រសព្វ PN ផ្លាស់ទីទៅតំបន់ P-type ហើយអេឡិចត្រុងនៅក្នុងតំបន់ P-type ផ្លាស់ទីទៅតំបន់ N-type ដែលបណ្តាលឱ្យមានចរន្តពី តំបន់ N-type ទៅតំបន់ P-type ។ បន្ទាប់មកភាពខុសគ្នាសក្តានុពលមួយត្រូវបានបង្កើតឡើងនៅក្នុងប្រសព្វ PN ដែលបង្កើតជាការផ្គត់ផ្គង់ថាមពល។