ចំណេះដឹង

ភាពខុសគ្នាសំខាន់រវាង N-type និង P-type monocrystalline silicon wafers for solar photovoltaic

ភាពខុសគ្នាសំខាន់រវាង N-type និង P-type monocrystalline silicon wafers សម្រាប់ photovoltaics ពន្លឺព្រះអាទិត្យ

Monocrystalline wafers ស៊ីលីកុនមានលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តនៃលោហៈ quasi ជាមួយនឹងចរន្តខ្សោយ ហើយចរន្តរបស់វាកើនឡើងជាមួយនឹងការកើនឡើងសីតុណ្ហភាព។ ពួកគេក៏មានលក្ខណៈសម្បត្តិ semiconducting ដ៏សំខាន់ផងដែរ។ ដោយការបំប្លែងសារធាតុ silicon monocrystalline wafers ដ៏បរិសុទ្ធជាមួយនឹងបរិមាណតិចតួចនៃ boron នោះ ចរន្តអាចនឹងត្រូវបានកើនឡើងដើម្បីបង្កើតជា P-type silicon semiconductor ។ ស្រដៀងគ្នានេះដែរ សារធាតុ doping ជាមួយនឹងបរិមាណតិចតួចនៃផូស្វ័រ ឬអាសេនិច ក៏អាចបង្កើនចរន្តអគ្គិសនីផងដែរ ដែលបង្កើតបានជាសារធាតុស៊ីលីកុនប្រភេទ N-type semiconductor ។ ដូច្នេះតើអ្វីជាភាពខុសគ្នារវាងប្រភេទ P-type និង N-type silicon wafers?

ភាពខុសគ្នាសំខាន់ៗរវាងប្រភេទ P-type និង N-type monocrystalline silicon wafers មានដូចខាងក្រោម៖

Dopant: នៅក្នុង monocrystalline silicon, doping ជាមួយ phosphorus ធ្វើឱ្យវាជាប្រភេទ N ហើយ doping ជាមួយ boron ធ្វើអោយវាជាប្រភេទ P ។

ចរន្តអគ្គិសនី៖ ប្រភេទ N គឺជាចរន្តអគ្គិសនី ហើយប្រភេទ P គឺជាចំហាយចរន្ត។

ការអនុវត្ត៖ ផូស្វ័រកាន់តែច្រើនត្រូវបានបញ្ចូលទៅក្នុងប្រភេទ N នោះ អេឡិចត្រុងសេរីកាន់តែច្រើន ចរន្តអគ្គិសនីកាន់តែរឹងមាំ និងធន់ទ្រាំកាន់តែទាប។ កាលណា boron កាន់តែច្រើនត្រូវបានជ្រលក់ចូលទៅក្នុងប្រភេទ P នោះរន្ធកាន់តែច្រើនត្រូវបានបង្កើតដោយការជំនួសស៊ីលីកុន ចរន្តអគ្គិសនីកាន់តែរឹងមាំ និងធន់នឹងទាប។

បច្ចុប្បន្ននេះ P-type silicon wafers គឺជាផលិតផលពេញនិយមនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម photovoltaic ។ P-type silicon wafers គឺសាមញ្ញក្នុងការផលិត និងមានការចំណាយទាប។ N-type silicon wafers ជាធម្មតាមានអាយុកាលយូរជាងនេះ ហើយប្រសិទ្ធភាពនៃកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យអាចត្រូវបានធ្វើឱ្យខ្ពស់ជាង ប៉ុន្តែដំណើរការនេះមានភាពស្មុគស្មាញជាង។ N-type silicon wafers ត្រូវបាន doped ជាមួយ phosphorus ដែលមានភាពរលាយមិនល្អជាមួយ silicon ។ កំឡុងពេលគូរដំបង ផូស្វ័រមិនត្រូវបានចែកចាយស្មើៗគ្នាទេ។ P-type silicon wafers ត្រូវបាន doped ជាមួយ boron ដែលមានមេគុណបំបែកស្រដៀងគ្នាទៅនឹង silicon ហើយឯកសណ្ឋាននៃការបែកខ្ញែកគឺងាយស្រួលក្នុងការគ្រប់គ្រង។